内存历史

内存是计算机中重要的部件之一，它是外存与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。内存(Memory)也被称为内存储器和主存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。

1837年

查尔斯巴贝奇于1837发明了分析机，这是第一台使用穿孔卡片作为存储器和计算机编程的计算机

1942年

约翰阿塔纳索夫于1942年成功地测试了ABC（阿塔纳索夫贝里计算机）

1946年

1946年，Jan A.Rajchman和他的团队研发了选数管

1946年12月11日，弗雷迪·威廉姆斯在他的阴极射线管（CRT）存储设备上申请了专利

1947年

1947年弗雷迪·威廉姆斯与汤姆·基尔伯恩开发了威廉姆斯－基尔伯恩管

1948年

磁芯存储器是华裔王安于1948年发明的

1949年

杰伊·弗雷斯特和其他研究人员在1949年提出了在旋风计算机中使用磁芯存储器的想法

1952年

达德利·艾伦·巴克于1952年提出了铁电储存器的设想

1953年

1953年7月，ENIAC（电子数字积分计算机）增加了一个核心磁芯内存扩展

1955年

贝尔实验室于1955年推出了第一台晶体管计算机

麻省理工学院于1955年3月8日推出了旋风式计算机，他是第一台带有磁芯RAM的数字计算机

1955年5月17日，王安于之前申请的磁性“脉冲传输控制装置”（磁芯储存器）专利成功获取

1968年

1968年6月4日，IBM T.J.Watson研究中心的Robert Dennard博士获得了“dram”的专利

1969年

查尔斯·西(Charles Sie)于1969年发表了相变存储器(PRAM)论文，并进行了演示

英特尔于1969年发布了首款产品SRAM，并在同年发布了ROM

1970年

英特尔于1970年10月发布了第一款商用DRAM，即英特尔1103

1971年

道夫·弗罗曼于1971年发明了EPROM并申请了专利

1978年

英特尔的George Perlegos于1978年开发了Intel2816（EEPROM）

1983年

wang Laboratories于1983年发明了单内联存储模块（SIMM）

1984年

Fujio Masuoka在1984年发明了闪存

1993年

三星推出了KM48SL2000同步DRAM（SDRAM），并在1993年迅速成为行业标准

1996年

DDR SDRAM标准于1996年制定

1999年

RDRAM在1999年开始被用于计算机

2002年

苹果公司在2002年4月29日首次推出eMac

2003年

DDR2 SDRAM标准于2003年开始实行

XDR-DRAM于2003年开始销售

2007年

DDR3 SDRAM标准于2007年6月开始实行

2014年

DDR4 SDRAM计划于2014年9月开始实行

2020年

1984年，东芝公司的发明人Fujio Masuoka快速闪存存储器的概念

2020年8月24日影驰HOF EXTREME内存开卖

2020年9月6日影驰推出全新的金属大师系列DDR4内存